场效应管符号（场效应管电路图符号）

场效应管符号（场效应管电路图符号）

说到FET的外观，恐怕不用我来图了。它通常用于电路图中。

关于它的构造原理说，由于抽象，我们对它的使用是普及性的，所以不多谈，因为根据不同场合的要求做出的品种繁多，特点也不相同；在mpn中，我们通常把它作为一个电源供电的电控开关，所以需要使用比较大的电流，所以我们用特殊的制造方法做了一个增强型FET (MOS型)。其电路图符号:

如果你仔细看，你会发现这两张图片似乎有所不同。顺便说一下，这实际上是两种不同的增强型场效应晶体管。第一种叫N沟道增强型场效应晶体管，第二种叫P沟道增强型场效应晶体管。它们的功能正好相反。前面说了，FET是一个由电控制的开关，我们先来说说怎么用它做开关。从图中我们可以看到它也像三极管一样有三条腿，分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。mpn中SMD元件的原理图如下:

引脚1是栅极，这个栅极是控制极。引脚2和3之间的连接和断开可以通过向栅极施加电压或不施加电压来控制。对于N沟道，引脚2和3通过向栅极施加电压来通电，并通过移除电压来关闭，而对于P沟道，情况正好相反。给栅极加电压时关断(高电位)，去电压(低电位)时接通！